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SI4100DY-T1-E3中文资料

SI4100DY-T1-E3图片

SI4100DY-T1-E3外观图

  • 大小：174KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：63 毫欧 @ 4.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：600pF @ 50V
  • 功率 - 最大：6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)

SI4100DY-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-18 15:49:31
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